PNP晶体管工作与电源电压的电路连接。由于PNP晶体管，这里的基极端子相对于发射极具有负偏压，而发射极端子相对于基极和集电极都具有正偏压。

　　与NPN晶体管相比，这里的极性和电流方向是相反的。如果晶体管连接到如上所示的所有电压源，则基极电流流过晶体管，但此处的基极电压需要相对于发射极更负以操作晶体管。在这里，基极-发射极结充当二极管。基极中的少量电流控制着大电流通过发射极流向集电极区。Si的基极电压一般为0.7V，锗器件的基极电压为0.3V。

　　一、PNP晶体管的工作状态模式类型：

　　1、晶体管的曲线和工作模式：

　　当用于开关应用时，工作模式可以根据晶体管内部二极管的偏置分为四类。截止区、有源区、饱和区和击穿区是不同的操作模式。

　　2、主动模式：

　　在这种操作模式下，晶体管经常用作电流放大器。晶体管的两个二极管以相反的方向偏置，这意味着一个正向偏置，另一个反向偏置。在这种模式下，电流从发射极流向集电极。

　　3、截止模式：

　　在这种操作模式下，晶体管中的两个二极管都反向偏置。据说晶体管处于关断状态，因为在这种模式下没有任何方向的电流流动。

　　4、饱和模式：

　　在这种操作模式下，晶体管中的两个二极管都被正向偏置。在这种模式下，电流可以自由地从集电极流向发射极。当基极-发射极结上的电压很高时，就会发生这种情况。ON状态称为此模式。

　　5、故障模式：

　　当集电极电压超过设定限值时，集电极二极管被破坏，集电极电流飙升至危险水平。结果，击穿区中的晶体管不应工作。例如，在2N3904晶体管中，如果集电极电压超过40V，击穿区立即开始，导致晶体管电路损坏。

　　二、PNP晶体管的优点：

　　1.为了提供电流，使用PNP晶体管。

　　2.因为它生成一个以负电源轨为参考的信号，所以它简化了电路设计。

　　3.与NPN晶体管相比，它们产生的噪声更少。

　　4.它比其他晶体管小，可用于集成电路，就像其他晶体管一样。