PNP晶体管可以定义为：一个n型材料掺杂有两个p型材料，例如类型的晶体管被称为PNP晶体管。它是一种电流控制设备。少量的基极电流同时控制了发射极和集电极电流。PNP晶体管有两个背对背连接的晶体二极管。二极管的左侧称为发射极-基极二极管，二极管的右侧称为集电极-基极二极管。

　　空穴中的电流由PNP晶体管的大部分载流子组成。晶体管内部的电流是由空穴的运动产生的，而晶体管引线中的电流是由电子的流动产生的。当小电流流过PNP晶体管的基极时，它会导通。PNP晶体管中的电流从发射极流向集电极。

　　PNP三极管的字母表示三极管的发射极、集电极和基极所需的电压。PNP晶体管的基极相对于发射极和集电极始终为负。在PNP晶体管中，电子取自基极端子。进入基极的电流被放大到集电极端。

　　PNP晶体管的工作原理：

　　由于发射极推动基区中的空穴，发射极-基极结以正向偏置连接。这些空穴构成发射极电流。当这些电子进入N型半导体材料或基体时，它们会与电子结合。晶体管的基极很薄，掺杂很轻。因此，只有少数空穴与电子结合，其余的空穴向集电极空间电荷层移动。因此产生基极电流。

　　反向偏置用于连接集电极-基极区。当耗尽区暴露于负极性时，集电极收集或吸引在耗尽区周围聚集的空穴。由此产生集电极电流。集电极电流IC允许整个发射极电流通过。

　　PNP晶体管的结构构造：

　　PNP晶体管的结构如下图所示。发射极-基极结正向偏置连接，集电极-基极结反向偏置连接。连接在正向偏置中的发射极将电子吸引到电池，从而构成从发射极流向集电极的电流。

　　晶体管的基极相对于集电极总是保持正电，这样来自集电极结的空穴就不能进入基极。并且基极-发射极保持在前方，因此来自发射极区的空穴进入基极，然后穿过耗尽区进入集电极区。在晶体管的三个部分中发现掺杂半导体。一侧是发射极，另一侧是集电极。基地是指中间的区域。下面详细描述晶体管的三个组件。

　　（1）发射器：

　　发射器的工作是为接收器提供电荷载流子。与基极相比，发射极总是正向偏置以提供大量电荷载流子。

　　（2）根据：

　　晶体管的基极是中间的部分，在发射极和集电极之间形成两个PN结。基极-发射极结正向偏置，使发射极电路具有低电阻。由于基极-集电极结的反向偏置，集电极电路具有高电阻。

　　（3）集电极：

　　集电极是发射极对面收集电荷的部分。在收集时，收集器总是偏向相反的方向。晶体管相当于两个二极管，因为它有两个PN结。发射极-基极二极管或发射极二极管是发射极和基极之间结的名称。集电极和基极之间的结称为集电极-基极二极管或集电极二极管。

　　PNP晶体管的表示符号：

　　PNP晶体管由字母PNP表示。在下图中，描绘了PNP晶体管的符号。在PNP晶体管中，电流从发射极流向集电极，如向内箭头所示。

　　PNP晶体管的常规应用：

　　1.放大电路利用了它们。

　　2.在嵌入式项目中，晶体管用作开关，并且由于快速开关，它们也用于生成PWM信号。

　　3.（多晶体管配置）对电路的使用。

　　4.在电动机中，PNP晶体管用于控制电流。

　　5.在配对电路中，PNP晶体管用于同时产生有争议的功率。